IDM厂及IC设计厂均大动作争抢晶圆代工产能

时间:2018-06-13 17:39来源:半导体观察IC

摘要:IDM厂及IC设计厂均大动作争抢晶圆代工产能,包括茂矽、汉磊、世界先进、新唐等MOSFET或IGBT订单满到年底,第三季6吋晶圆代工价格大涨10~20%,8吋晶圆代工价格亦调涨5~10%

 


金氧半场效电晶体(MOSFET)及绝缘闸双极电晶体(IGBT)等功率半导体下半年恐现缺货潮,IDM厂及IC设计厂均大动作争抢晶圆代工产能,包括茂矽、汉磊、世界先进、新唐等MOSFET或IGBT订单满到年底,第三季已确定涨价,其中6吋晶圆代工价格大涨10~20%,8吋晶圆代工价格亦调涨5~10%。


受惠于MOSFET价格调涨,带动功率半导体晶圆代工涨价效应,茂矽及汉磊股价昨(11)日攻上涨停,世界先进及新唐亦同步大涨。法人表示,MOSFET及IGBT需求强劲,6吋及8吋晶圆代工第三季涨价,将带动业者下半年获利表现。


茂矽近期已发函通知客户涨价,预计7月起依产品别调涨晶圆代工价格15~20%,高单价客户及高售价产品优先投片,6月底未投产完毕的订单退回并请客户重新评估需求,重新来单则适用7月起已调涨后的晶圆代工价格。


据业界消息,茂矽通知至8月底前暂停工程实验及新产品试产,未满25片的非完整批暂缓投片,未满150片的炉管最小片数亦暂时降低生产排货等级,交期将延长。同时,茂矽亦要求客户配合提供EPI硅晶圆且抵达厂内确定时间才开单。


汉磊昨日召开股东常会,董事长徐建华表示,人工智能、汽车电子及电动车、物联网等都带动功率半导体需求,汉磊旗下硅晶圆厂嘉晶产能满到年底,旗下晶圆代工事业同样接单满到年底。汉磊将逐调整产品结构,扩大利基产品量产规模与提高宽能隙产品的比重,希望今年能达全年获利的目标。


虽然徐建华不愿多谈硅晶圆及晶圆代工是否涨价,仅强调涨价要考虑市场及客户关系。但业界指出,EPI硅晶圆今年已确定逐季涨价,加上上游客户积极争取晶圆代工产能,在订单满到年底情况下,预期汉磊5吋及6吋晶圆代工价格下半年将同步涨价1成以上。


再者,新唐及世界先进亦传出调涨第三季晶圆代工价格消息。在MOSFET订单大举涌入情况下,新唐6吋晶圆代工产能自去年满载到现在,目前在手订单也已经排单到年底,第三季价格传出调涨1成消息。

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