美国EPC推出氮化镓功率晶体管,体积只是对等硅MOSFET的1/20
摘要:美国高效功率转换(EPC)公司推出350VGaN晶体管EPC2050,脉冲输出电流为26A,最大RDS(on)为65mΩ,应用领域包括太阳能逆变器、电动车充电器、电机驱动、多级转换器配置,如用于服务器和通信单元的3级400V输入到48V输出LLC转换器。
美国高效功率转换(EPC)公司推出350V GaN晶体管EPC2050,脉冲输出电流为26A,最大RDS(on)为65 mΩ,应用领域包括太阳能逆变器、电动车充电器、电机驱动、多级转换器配置,如用于服务器和通信单元的3级400V输入到48V输出LLC转换器。
EPC2050尺寸为1.95×1.95mm2,是对应硅MOSFET尺寸的1/20。尽管采用小尺寸的芯片级封装,公司表示,EPC2050的散热效率高于塑料封装的MOSFET。
图为EPC2050
开发板
EPC9084开发板是350V最大器件电压、5A最大输出电流、半桥开发板,面积为51×38mm2,包含350V EPC2050增强型(eGaN)场效应管(FET)和Silicon Labs公司的Si8274GB1-IM门驱动电路。为简化EPC2050 GaN FET的评估过程,所有关键器件都包含在该开发板上,易于连接到现有转换器上。
图为EPC9084开发板
售价
EPC2050 eGaN FET以1千片为单位的单个售价是3.19美元,
EPC9084开发板售价是每个118.75美元。
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