两种常用磁性传感器,你想了解的特性差异都在这儿

时间:2018-05-24 11:09来源:Digi-Key

摘要:在零件选型或产品开发过程中,研发人员难免会碰上各种不同类型的问题。得捷电子技术支持团队每天会协助客户去解决各种难题,有物料过期查询,有优化方案替换/配用,有偏料搜索支持、BOM风险分析评估、物料供应风险评估,或者开发/评估工具推荐。

在零件选型或产品开发过程中,研发人员难免会碰上各种不同类型的问题。得捷电子技术支持团队每天会协助客户去解决各种难题,有物料过期查询,有优化方案替换/配用,有偏料搜索支持、BOM风险分析评估、物料供应风险评估,或者开发/评估工具推荐。

 

 

 

在众多问题之中,每周我们都会抽取两个案例跟大家一起分享。

 

以下是本周分享案例之一:

磁性传感器中,磁阻(Magnetoresistive)和霍尔效应(Hall-Effect)比较,有何分别?一般应用是什么?

 

DK工程师建议

磁阻传感器内物质感应磁场强弱改变,影响半导体分子排列不同,形成不同电阻值而对应不同磁通量;而霍尔效应传感器则是从测量受磁场强弱而改变的电荷(Charge)变化而得出电磁量。

 

 

 

磁阻感测有较高的灵敏度(sensitivity)。在元器件生产上,只需调节半导体薄膜(Film)尺寸便能生产出不同感测范围的传感器。

 

但霍尔效应有较高线性且不容易磁场饱和(饱和度)。在应用上,霍尔效应薄膜是响应垂直于传感器的磁场,磁阻感测则是响应平行于传感器的磁场。

 

 

 

磁阻传感器普遍应用于单极感应和高敏感度要求的场合,例如医疗上的分析仪及磁场编码器。

 

若对以上的小贴士有任何问题,欢迎联系我们,好让Digi-Key技术支持团队在开发道路上更好地协助您。

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