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基于氮化镓（eGaN®）技术的汽车应用即将到来

时间：2018-05-04 17:39来源：21Dianyuan

摘要：宜普电源转换公司（EPC）的两个车用氮化镓晶体管成功通过了国际汽车电子协会所制定的AECQ101分立器件应力测试认证。

宜普电源转换公司（EPC）的两个车用氮化镓晶体管成功通过了国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证。

宜普电源转换公司宣布其两个车用氮化镓(eGaN)器件成功通过AEC Q101测试认证，可在车用及其它严峻环境实现多种全新应用。EPC2202及EPC2203是采用晶圆级芯片规模封装（WLCS） 、80 VDS 的分立晶体管。面向严峻的车用环境的多个分立晶体管及集成电路也将在不久的未来推出。

 
 
基于氮化镓（eGaN）技术的产品已进行量产超过8年，累计了数十亿小时的实际汽车应用经验，包括全自动驾驶汽车的激光雷达及雷达系统、48 V–12 V DC/DC转换器及高强度的货车头灯等应用。EPC2022及EPC2023是第一批通过AEC Q101测试认证的产品。

EPC2202为80 V、16 mΩ增强型氮化镓场效应晶体管，采用2.1 毫米x1.6毫米芯片级封装，脉冲电流为75 A。EPC2203 为80 V、73 mΩ器件，采用0.9 毫米x0.9毫米芯片级封装，脉冲电流为18 A。与等效MOSFET相比，这些氮化镓场效应晶体管的尺寸小很多，而且可实现的开关速度快10至100倍。两个产品专为各种汽车应用而设计，包括：

· 激光雷达
· 高强度的货车头灯
· 48 V – 12 V DC/DC转换器
· 具有超高保真度的信息娱乐系统

要通过AEC Q101认证测试，EPC的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）必需通过在严峻环境及不同偏压的条件下的各种测试，包括偏压湿度测试（H3TRB）、高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）、温度循环（TC）及其它多种不同的测试。要留意的是，EPC器件的芯片级封装也通过采用传统封装的器件的所有相同测试标准，证明芯片级封装具备卓越性能而器件同时保持坚固耐用及其高可靠性。这些eGaN器件在符合汽车质量管理系统标准IATF 16949的设备中生产。
 
EPC公司的首席执行官及共同创办人Alex Lidow称：“氮化镓技术在汽车的应用还是刚刚开始发展。紧随这两个通过认证的车用氮化镓器件，我们将推出更多、一系列的晶体管及集成电路，从而打造自动驾驶汽车的未来、节省汽油的使用量及提高驾驶的安全性。与目前车用、日益老化的硅基功率MOSFET相比，基于eGaN技术的产品的开关更快速、尺寸更小、效率更高及更可靠。＂

价格及供货
EPC2202 eGaN FET在批量为1,000片时的单价为1.57美元。EPC2203在批量为1,000片时的单价为0.44美元。两个产品都可以立即从Digikey公司购买，网址为http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。

宜普电源转换公司简介
宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管就集成电路，其目标应用包括 直流-直流转换器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、功率逆变器、激光雷达（LiDAR）及D类音频放大器等应用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外，宜普公司正在扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。详情请访问我们的网站，网址为www.epc-co.com.cn 。

商标
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。
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