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东芝推出采用新型封装的车规 40V N 沟道功率 MOSFET

时间：2018-04-23 10:31来源：东芝半导体&存储产品

摘要：东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款采用小型低电阻SOPAdvance（WF）封装的新MOSFET产品——“TPHR7904PB”和“TPH1R104PB”，这两款产品是车规40VN沟道功率MOSFET系列的最新产品。批量生产即日启动。

采用小型低电阻封装，实现更低的导通电阻
 

东京--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款采用小型低电阻SOP Advance（WF）封装的新MOSFET产品——“TPHR7904PB”和“TPH1R104PB”，这两款产品是车规40V N沟道功率MOSFET系列的最新产品。批量生产即日启动。


这两款新MOSFET产品采用最新第九代U-MOS IX-H沟槽工艺制造，采用小型低电阻封装，具备低导通电阻，因此有助于降低导通损耗。与东芝前代设计（U-MOS IV）相比，U-MOS IX-H设计还实现了更低的开关噪声，有助于降低EMI（电磁干扰）。

SOP Advance （WF）封装采用“可焊锡侧翼”（wettable flank）端子结构，支持在焊接之后进行自动光学检测（AOI）

应用场合

· 电动助力转向系统（EPS）
· 负载开关
· 电子泵

特点

· 由于采用U-MOS IX-H工艺和SOP Advance（WF）封装，实现了最大导通电阻（RDS（ON）最大值）仅有0.79mΩ。
· 低噪音特性降低了电磁干扰（EMI）。
· 采用可焊锡侧翼端子结构，支持小型低电阻封装。

 
Wettable flank terminal
 

主要规格

（除非另作说明，@Ta=25°C） 
 
 
有关MOSFET产品阵容的更多信息，请访问如下链接：
https://toshiba.semicon-storage.com/cn/product/mosfet.html

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