安森美半导体推出首批具有近红外+(NIR +)的高分辨率图像传感器,以提升夜视功能

时间:2018-04-10 16:10来源:21Dianyuan

摘要:安森美半导体(ONSemiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)推出首批采用近红外+(NIR+)技术的CMOS图像传感器,该技术有效地将高动态范围(HDR)与增强的微光性能相结合,以使能高端安防与监控相机。

增强近红外性能提升高端安防监控相机的图像质量
 
2018年4月10日 – 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON) 推出首批采用近红外+(NIR +)技术的CMOS图像传感器,该技术有效地将高动态范围(HDR)与增强的微光性能相结合,以使能高端安防与监控相机。


 
 
AR0522是一款1/2.5英寸510万像素(MP)图像传感器,基于一个2.2微米(μm)背照式(BSI)像素技术平台,专为在微光条件下需要高分辨率、高质量视频捕获的工业应用而开发。AR0522图像传感器提供的近红外波长的灵敏度大概是现有的AR0521图像传感器的两倍。
 
AR0431是一款1/3.2英寸400万像素传感器,基于一个2.0 μm 背照式像素技术平台。它能够提供通用的低能耗模式和一个高达120fps的帧速率,非常适合需要慢速运动视频捕获的应用。它的低运作能耗使其成为电池供电的安防相机、动作/运动相机、车载DVR和一般监控相机的理想选择。
 
安森美半导体开发NIR +技术,以提高近红外区域内传感器的量子效率(QE),而无需牺牲可见光谱中的色彩保真度。通过这一技术,安防相机可在更低的电压下,在物料单(BOM)上使用更少的红外(IR) LED,且仍能在微光和近红外条件下实现高质量图像。
 
安森美半导体图像传感器消费方案分部副总裁兼总经理Gianluca Colli表示:“AR0522和AR0431所采用的NIR +技术和背照式像素平台真正实现了卓越的图像质量和微光性能,即使在极具挑战的光照条件下也能获得更明亮、更清晰的图像。”
 
供货
安森美半导体现提供AR0522工程样品,采用12mm x 12mm mPLCC封装,计划于2018年5月量产。
 
AR0431的工程样品将于2018年4月推出,采用10mm x 10mm mPLCC封装,计划于2018年7月量产。
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