3D NAND 产能促使内存价格下降?
时间:2018-04-08 09:54来源:中国存储网,工商时报
摘要:全球半导体行业在2017年创下了10年以来的最好成绩,年收入比2016年增长了22%,达到4291亿美元。
全球半导体行业在2017年创下了10年以来的最好成绩,年收入比2016年增长了22%,达到4291亿美元。
这是根据英国分析公司IHS Markit的新统计数据得出的,HIS认为市场对内存芯片处理能力需求的大幅增加归因于新兴应用如大数据、物联网和机器学习。
这一需求的增长使得三星电子作为全球领先芯片制造商占据第一位置,领先于竞争对手英特尔,而英特尔已经占据第一的位置有25年之久。2017年,三星的收入增长了54%。
IHS表示,动态随机存取存储器芯片的销售总额增长了77%,而闪存芯片的销售额增长了47%。随着全年供应日益紧张,市场也受到明显影响,随着需求增加,2017年下半年收入也开始大幅增加。
IHS表示,过去十年中DRAM和闪存的增长率是最高的。需求的增长也推动内存芯片制造商SK Hynix和Micron年增长率达到80%左右,分别在全球排名第三和第四位。
IHS表示,一些半导体制造商的无晶圆厂商业模式(包括将芯片设计出售给第三方代工厂进行生产)也出现了大幅扩张。例如,智能手机芯片制造商高通公司(Qualcomm)去年的增长率为9.5%,尽管与苹果公司在法律上的纠缠令其盈利受到影响。
Nvidia也首次跻身全球前十大芯片制造商行列。随着市场对其GPU的促球不断增长,使得Nvidia收入增长了42%,这些GPU越来越多地用于高性能计算和自动驾驶汽车等机器学习应用中。
不过,IHS警告说,随着芯片制造商开始生产用于大数据内存处理的3D NAND闪存技术,整个行业可能会再次进行洗牌,例如英特尔为数据中心设计的Xpoint非易失性内存芯片。
IHS内存和存储部门高级主管Craig Stice表示,目前向3D NAND的转换机会占到了生产的四分之三,并且将缓解来自SSD和移动市场的强劲需求。“价格预计将开始大幅下降,但2018年NAND市场仍然可能创下历史新高。”
美光事件影响 DRAM供货吃紧
根据集邦科技存储器储存研究DRAMeXchange调查,以标准型DRAM主流产品4GB DDR4模块合约价格来看,3月平均价格维持在33美元,高价则为34美元,整体而言,第一季标准型DRAM价格较去年第四季上涨约5%。第二季受到台湾美光台中厂(原瑞晶厂)氮气事件影响,导致DRAM市场供给吃紧的情况延续,预估第二季标准型DRAM合约价至少将再涨约3%,法人看好南亚科将直接受惠。
美光台中厂3月发生氮气供应问题,美光执行长Sanjay Mehrotra在法说会中证实此事。Sanjay Mehrotra提到,氮气供应受阻事件恐将导致美光本季DRAM产出减少2~3%,美光今年全年位元成长率仍可维持年增2成的目标,主要是来自于1X奈米制程微缩。业界预估,此次造成产能减损约3万片,主要产品线以标准型DDR4及服务器DDR4为主,其中亦包括供给吃紧的绘图用GDDR。
DRAMeXchange指出,由于现在的标准型DRAM大多以季度合约(quarterly deal)的方式议定,因此每一季度绝大部分的涨价幅度,都集中在当季度的第一个月,今年1月DRAM价格已大致反应第一季调涨幅度,目前观察3月合约价并未看到显著变化,约与上个月持平。
此外, 台湾美光台中厂于今年3月20日传出氮气供应受阻状况,DRAMeXchange分析,此问题点发生于台湾美光台中厂外,主因为氮气的设备故障导致气体无法运输到台湾美光台中厂内,故障机台须送回美国维修,目前机台已修复并运送回台,然台湾美光台中厂真正完全复工须待至4月初。
DRAMeXchange表示,由于上述台湾美光台中厂生产的产品应用别主要为标准型DRAM、服务器DRAM、行动式DRAM(LPDDR4)与绘图用GDDR。此氮气事件将对台湾美光台中厂3月及4月上旬的产出有一定程度的影响,将使目前DRAM市场供给吃紧的情况延续,预期第二季标准型DRAM合约价将较前一季度至少再上扬3%。对于原本就已供给短缺的绘图用GDDR市场而言,受到的冲击恐将更大。
模块业者指出,标准型及服务器DDR4的缺货情况严重,3月以来电竞PC及资料中心需求转强,如今发生美光台中厂产出低于预期情况,第二季DD4缺货问题更为严重,以现阶段OEM厂及DRAM厂的议价情况来看,第二季合约均价涨幅预期会比市场预估的更多,8GB DDR4模块预期将上看70美元并创历史新天价。至于正在全力投产20奈米DDR4的南亚科,将成为最大受惠者,第一季合并营收可望较上季成长近10%幅度,第二季维持相同成长动能。
这是根据英国分析公司IHS Markit的新统计数据得出的,HIS认为市场对内存芯片处理能力需求的大幅增加归因于新兴应用如大数据、物联网和机器学习。
这一需求的增长使得三星电子作为全球领先芯片制造商占据第一位置,领先于竞争对手英特尔,而英特尔已经占据第一的位置有25年之久。2017年,三星的收入增长了54%。
IHS表示,动态随机存取存储器芯片的销售总额增长了77%,而闪存芯片的销售额增长了47%。随着全年供应日益紧张,市场也受到明显影响,随着需求增加,2017年下半年收入也开始大幅增加。
IHS表示,过去十年中DRAM和闪存的增长率是最高的。需求的增长也推动内存芯片制造商SK Hynix和Micron年增长率达到80%左右,分别在全球排名第三和第四位。
IHS表示,一些半导体制造商的无晶圆厂商业模式(包括将芯片设计出售给第三方代工厂进行生产)也出现了大幅扩张。例如,智能手机芯片制造商高通公司(Qualcomm)去年的增长率为9.5%,尽管与苹果公司在法律上的纠缠令其盈利受到影响。
Nvidia也首次跻身全球前十大芯片制造商行列。随着市场对其GPU的促球不断增长,使得Nvidia收入增长了42%,这些GPU越来越多地用于高性能计算和自动驾驶汽车等机器学习应用中。
不过,IHS警告说,随着芯片制造商开始生产用于大数据内存处理的3D NAND闪存技术,整个行业可能会再次进行洗牌,例如英特尔为数据中心设计的Xpoint非易失性内存芯片。
IHS内存和存储部门高级主管Craig Stice表示,目前向3D NAND的转换机会占到了生产的四分之三,并且将缓解来自SSD和移动市场的强劲需求。“价格预计将开始大幅下降,但2018年NAND市场仍然可能创下历史新高。”
美光事件影响 DRAM供货吃紧
根据集邦科技存储器储存研究DRAMeXchange调查,以标准型DRAM主流产品4GB DDR4模块合约价格来看,3月平均价格维持在33美元,高价则为34美元,整体而言,第一季标准型DRAM价格较去年第四季上涨约5%。第二季受到台湾美光台中厂(原瑞晶厂)氮气事件影响,导致DRAM市场供给吃紧的情况延续,预估第二季标准型DRAM合约价至少将再涨约3%,法人看好南亚科将直接受惠。
美光台中厂3月发生氮气供应问题,美光执行长Sanjay Mehrotra在法说会中证实此事。Sanjay Mehrotra提到,氮气供应受阻事件恐将导致美光本季DRAM产出减少2~3%,美光今年全年位元成长率仍可维持年增2成的目标,主要是来自于1X奈米制程微缩。业界预估,此次造成产能减损约3万片,主要产品线以标准型DDR4及服务器DDR4为主,其中亦包括供给吃紧的绘图用GDDR。
DRAMeXchange指出,由于现在的标准型DRAM大多以季度合约(quarterly deal)的方式议定,因此每一季度绝大部分的涨价幅度,都集中在当季度的第一个月,今年1月DRAM价格已大致反应第一季调涨幅度,目前观察3月合约价并未看到显著变化,约与上个月持平。
此外, 台湾美光台中厂于今年3月20日传出氮气供应受阻状况,DRAMeXchange分析,此问题点发生于台湾美光台中厂外,主因为氮气的设备故障导致气体无法运输到台湾美光台中厂内,故障机台须送回美国维修,目前机台已修复并运送回台,然台湾美光台中厂真正完全复工须待至4月初。
DRAMeXchange表示,由于上述台湾美光台中厂生产的产品应用别主要为标准型DRAM、服务器DRAM、行动式DRAM(LPDDR4)与绘图用GDDR。此氮气事件将对台湾美光台中厂3月及4月上旬的产出有一定程度的影响,将使目前DRAM市场供给吃紧的情况延续,预期第二季标准型DRAM合约价将较前一季度至少再上扬3%。对于原本就已供给短缺的绘图用GDDR市场而言,受到的冲击恐将更大。
模块业者指出,标准型及服务器DDR4的缺货情况严重,3月以来电竞PC及资料中心需求转强,如今发生美光台中厂产出低于预期情况,第二季DD4缺货问题更为严重,以现阶段OEM厂及DRAM厂的议价情况来看,第二季合约均价涨幅预期会比市场预估的更多,8GB DDR4模块预期将上看70美元并创历史新天价。至于正在全力投产20奈米DDR4的南亚科,将成为最大受惠者,第一季合并营收可望较上季成长近10%幅度,第二季维持相同成长动能。
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