再创新里程碑!厦门联芯 28 纳米 HKMG 试产良率达 98%

时间:2018-03-27 16:56来源:集微网

摘要:厦门联芯已于今年2月成功试产采用28纳米High-KMetalGate工艺制程的客户产品,试产良率高达98%。

继 28 纳米 Poly/SiON 制程技术成功量产以来,联芯集成电路制造(厦门)有限公司再次取得了技术发展上的新里程碑。据悉,厦门联芯已于今年 2 月成功试产采用 28 纳米 High-K/Metal Gate 工艺制程的客户产品,试产良率高达 98%。
 
目前,联芯能同时提供 Poly/SiON 和 High-K/Metal Gate 工艺技术。
 
据介绍,联芯 28 纳米 High-K/Metal Gate 工艺制程采用了目前全球最先进的 Gate Last 制程技术,能大幅减少栅极的漏电量,提升晶体管的性能,可以应用于更多样化的各类电子产品。
 
对此技术突破,联芯首席执行官暨副董事长许志清表示非常开心,并期望未来进一步强化与客户合作,积极推动产品量产。
 
联芯集成电路制造项目位于福建省厦门市翔安区,本工程占地面积约 25.5 万平方米,总建筑面积约 36.8 万平方米。项目投资约 62 亿美元,分两个阶段实施,其中第一阶段建设全部厂房及构建筑物设施,并安装设备形 2.5 万片/月的生产能力;第二阶段在第一阶段基础上安装设备再形成 2.5 万片/月的生产能力。项目全部建成后形成 12 英寸、线宽 55-28nm 的集成电路芯片共 5 万片/月的生产能力。
 
可以说,联芯集成电路制造项目是海峡两岸合资建设的第一座 12 英寸晶圆厂,也是福建省目前投资金额最大的单体项目。联芯于 2016 年 11 月正式营运投产,目前公司正全力提速至满载产能。



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