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东芝电子元件及存储装置株式会社面向继电器驱动器推出小型双 MOSFET

时间：2018-02-02 08:43来源：东芝半导体&存储产品

摘要：东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出一款新的MOSFET“SSM6N357R”，该产品在漏极和栅极端子之间设计有内置二极管。

东京--东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出一款新的 MOSFET“SSM6N357R”，该产品在漏极和栅极端子之间设计有内置二极管。该器件适用于驱动机械继电器等感性负载。批量发货即日启动。 


SSM6N357R 集成有下拉电阻、串联电阻和稳压二极管，有助于减少零部件数量并节省电路板空间。此外，由于该产品是二合一的封装产品，与采用两个 SSM3K357R (2.4 x 2.9 x 0.8 mm) 单个封装产品的替代方案相比，其安装面积减小42%。

SSM6N357R 采用行业标准的 TSOP6F 级封装，具备 3.0V 的低工作电压并且通过了 AEC-Q101 认证，因此适合于汽车和许多其他应用。 

应用场合

· 汽车应用的继电器和螺线管控制 
· 工业应用的继电器和螺线管控制
· 办公设备离合器控制

特点

· 节省电路板空间且元器件数量减少（实现了下拉电阻、串联电阻和稳压二极管的集成。）
· 3.0V 的低工作电压
· 二合一封装
· 通过 AEC-Q101 认证

主要规格

（@Ta=25℃）

 

等效电路


 

有关东芝电子元件及存储装置株式会社最新小型低导通电阻 MOSFET 的更多信息，请访问如下链接：
https://toshiba.semicon-storage.com/cn/product/mosfet/small-mosfet.html

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