紫光国芯: DRAM 芯片设计技术处于世界先进水平_资讯频道

时间：2018-01-24 13:05来源：电子技术应用网

摘要：紫光国芯周一在全景网投资者互动平台上回答投资者提问时介绍，DDR4与DDR3相比，单条容量有很大提高，可以实现较高的容量。

紫光国芯周一在全景网投资者互动平台上回答投资者提问时介绍，DDR4与 DDR3相比，单条容量有很大提高，可以实现较高的容量。另外，频率和带宽都有明显提高。工艺的提高也会降低工作电压，有利于更低的功耗。

同时，关于公司在国内业界、排名情况，紫光国芯介绍，公司的 DRAM 芯片设计技术处于世界先进水平，国内稀缺，但目前产品产量很小，市场份额不大。

针对投资者关于公司 DDR4存储器芯片相比 DDR3优势的询问，紫光国芯作出上述回应。

1月26日紫光国芯在互动平台表示，公司西安子公司从事 DRAM 存储器晶元的设计，目前产品委托专业代工厂生产。未来紫光集团下属长江存储如果具备 DRAM 存储器晶圆的制造能力，公司会考虑与其合作。

免责声明：本文若是转载新闻稿，转载此文目的是在于传递更多的信息，版权归原作者所有。文章所用文字、图片、视频等素材如涉及作品版权问题，请联系本网编辑予以删除。

近期活动

分类排行榜

编辑推荐

众所周知，LED的驱动IC担负着在输入电压不稳定的情况下，为LED提供恒定的电流，并控制恒定（可调）亮度的作用。无论是室内照明，还是车载应用，都肩负着极为重要的使命。

帖子推荐更多

精华