R-REF01-HB通用半桥拓扑参考设计

时间:2018-01-10 08:56来源:

摘要:RECOM以半桥拓扑电路结构为通用平台参考设计开启了崭新的一页,可用来比较各种大功率IGBT、第一代和第二代的SiC、GaN、MOSFET和Cascode开关技术的实际性能。

       R-REF01-HB通用半桥拓扑参考设计
       RECOM以半桥拓扑电路结构为通用平台参考设计开启了崭新的一页,可用来比较各种大功率IGBT、第一代和第二代的SiC、GaN、MOSFET和Cascode开关技术的实际性能。由于每种晶体管类型的栅极驱动器和PCB布局都是基本相同的,因此用户将能够测试比较和对比实际的开关性能,并为其应用选出适合拓扑结构。
 

     
       参考设计是由一个半桥拓扑结构和一个完全隔离的驱动电路所组成的,驱动电路使用隔离电源来供给上、下桥臂的开关晶体管。一整套包括了四组不同的DC/DC转换器,为不同类型的晶体管提供适当的隔离驱动电压。因此用户可以从供应商选择TO247或TO247-4L(开尔文连接)封装的开关晶体管,搭配适当的DC/DC转换器,快速地对其应用进行原型测试。参考设计是一个基本的构建模型,可用于评估正激式、反激式,降压型和升压型的拓扑结构,将两个或多个单元相结合来评估全桥和三相桥电路。PCB经过优化可在高达10A的栅极驱动电流下进行高达1000V的开关切换。信号地与电源地绝缘隔离,板载BNC插孔可以与外部TTL信号发生器高速连接。由于上桥臂和下桥臂的控制是分开的,所以参考设计也可执行不对称占空比、有源钳位和全桥相移式拓扑。RECOM授权的全球经销商皆可提供R-REF01-HB的参考设计。


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