东芝宣布兴建第 7 座 NAND Flash 工厂

时间:2017-12-27 09:24来源:电子技术应用网

摘要:2017年是NANDFlash闪存厂商丰收的一年,零售价格的暴涨带动了厂商的营收,同时还对获利有了巨大贡献。

2017 年是 NAND Flash 闪存厂商丰收的一年,零售价格的暴涨带动了厂商的营收,同时还对获利有了巨大贡献。 所以,当前全球的 4 大 NAND Flash 厂商,包括三星、Intel/美光、东芝、SK 海力士也有了充足的资金来进行新一波的投资。 而根据外电的报导,东芝就最新宣布,将拿出 70 亿日圆的金额,准备兴建第 7 座闪存工厂(Fab7),地点就在日本的四日市(Yokkaichi)。
 
事实上,目前东芝的第 6 座工厂(Fab 6)正在建设当中,预计将于 2018 年第 4 季完工。 不过,面对市场的强烈需求,东芝扩产的步伐似乎还不打算停下来。 因此,东芝在 21 日宣布,将投资 70 亿日圆用于 Fab7 厂的兴建,选址就位于日本四日市。 日前,东芝才就出售半导体业务一事已经和威腾电子握手言和,达成协议。 未来东芝需要威腾电子的数据提供,以使得 2018 年的新先进芯片生产线进行投产,以此竞争对手和三星、Intel、及 SK 海力士竞争。
 
报导进一步指出,目前数据中心和企业服务器强劲 NAND Flash 闪存需求,已经促使东芝扩大在四日市的设备规模。 而且,其他 NAND Flash 闪存供货商,包括了三星与 SK 海力士在 2017 年都宣布完成或开始新厂建造计划。
 
目前,东芝主要以生产 64 层堆栈的 V-NAND 闪存为主,未来计划在下一步升级到 94 层 V-NAND 闪存生产。 而除了 TLC 规格之外,也将还会有特别的 QLC 规格产品,目的就是为了加强产品的渗透力以提升市场竞争力。
 
而对于将兴建 Fab7 厂,东芝预计在 2018 年 2 月完成新厂的土地的收购作业,同时会下单建筑材料和基础设备。 据了解,东芝还将根据市场趋势,成立东芝储存岩手县公司,以管理工厂的建设和运营。 整体厂房兴建计划将在 2018 年底前完成,2019 年之后逐步安装设备,并且在年底前开始生产。
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