物联网与 AI 将推升次世代内存需求

时间:2017-12-27 09:22来源:电子技术应用网

摘要:经过十多年的沉潜,次世代内存的产品,包含FRAM(铁电内存),MRAM(磁阻式随机存取内存)和RRAM(可变电阻式内存),在物联网与智能应用的推动下,开始找到利基市场。

经过十多年的沉潜,次世代内存的产品,包含 FRAM(铁电内存),MRAM(磁阻式随机存取内存)和 RRAM(可变电阻式内存),在物联网与智能应用的推动下,开始找到利基市场。
 
 
2017年5月,台积电技术长孙元成首次在其技术论坛上,由发表了自行研发多年的 eMRAM(嵌入式磁阻式随机存取内存)和 eRRAM(嵌入式电阻式内存)技术,分别预定在2018和2019年进行风险性试产, 且将采用先进的22奈米制程。
 
研发这项技术的目标很清楚,就是要达成更高的效能、更低的电耗,以及更小的体积,以满足未来智能化与万物联网的全方面运算需求。 目前包含三星与英特尔都在研发相关的产品与制程技术。
 
嵌入式内存制程是在晶圆层级中,由晶圆代工厂把逻辑 IC 与内存芯片整合在同一颗芯片中。 这样的设计不仅可以达成最佳的传输性能,同时也缩小了芯片的体积,透过一个芯片就达成了运算与储存的功能,而这对于物联网装置经常需要数据运算与数据储存来说,非常有吸引力。
 
以台积电为例,他们的主要市场便是锁定物联网、高性能运算与汽车电子等。
 
不过,目前主流的闪存因为采电荷储存为其数据写入的基础,因此其耐用度与可靠度在 20nm 以下,就会出现大幅的衰退,因此就不适合用在先进制程的 SoC 设计里。 虽然可以透过软件纠错和算法校正,但这些技术在嵌入式系统架构中转换并不容易。 所以结构更适合微缩的次世代内存就成为先进 SoC 设计的主流。
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