物联网与 AI 将推升次世代内存需求_资讯频道

时间：2017-12-27 09:22来源：电子技术应用网

摘要：经过十多年的沉潜，次世代内存的产品，包含FRAM（铁电内存），MRAM（磁阻式随机存取内存）和RRAM（可变电阻式内存），在物联网与智能应用的推动下，开始找到利基市场。

经过十多年的沉潜，次世代内存的产品，包含 FRAM（铁电内存），MRAM（磁阻式随机存取内存）和 RRAM（可变电阻式内存），在物联网与智能应用的推动下，开始找到利基市场。

2017年5月，台积电技术长孙元成首次在其技术论坛上，由发表了自行研发多年的 eMRAM（嵌入式磁阻式随机存取内存）和 eRRAM（嵌入式电阻式内存）技术，分别预定在2018和2019年进行风险性试产，且将采用先进的22奈米制程。

研发这项技术的目标很清楚，就是要达成更高的效能、更低的电耗，以及更小的体积，以满足未来智能化与万物联网的全方面运算需求。目前包含三星与英特尔都在研发相关的产品与制程技术。

嵌入式内存制程是在晶圆层级中，由晶圆代工厂把逻辑 IC 与内存芯片整合在同一颗芯片中。这样的设计不仅可以达成最佳的传输性能，同时也缩小了芯片的体积，透过一个芯片就达成了运算与储存的功能，而这对于物联网装置经常需要数据运算与数据储存来说，非常有吸引力。

以台积电为例，他们的主要市场便是锁定物联网、高性能运算与汽车电子等。

不过，目前主流的闪存因为采电荷储存为其数据写入的基础，因此其耐用度与可靠度在 20nm 以下，就会出现大幅的衰退，因此就不适合用在先进制程的 SoC 设计里。虽然可以透过软件纠错和算法校正，但这些技术在嵌入式系统架构中转换并不容易。所以结构更适合微缩的次世代内存就成为先进 SoC 设计的主流。

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