东芝面向工业应用推出拥有业界最低导通电阻的 100V N 沟道功率 MOSFET

时间:2017-12-22 09:02来源:东芝半导体&存储产品

摘要:东芝电子元件及存储装置株式会社今日启动“TPH3R70APL”和“TPN1200APL”的产品出货,这两款产品是该公司低电压U-MOSIX-HN沟道功率MOSFET系列的最新100V产品。

扩大低电压 U-MOS IX-H 功率 MOSFET 系列的产品阵容
 

东京—东芝电子元件及存储装置株式会社今日启动“TPH3R70APL”和“TPN1200APL”的产品出货,这两款产品是该公司低电压 U-MOS IX-H N 沟道功率 MOSFET 系列的 最新100V 产品。这些新器件适用于工业设备的电源应用。


TPH3R70APL 和 TPN1200APL 采用该公司最先进的低电压 U-MOS IX-H 沟道工艺制造,对元件结构进行了优化,具备业界最低的导通电阻[1]。此外,与使用 U-MOS VIII-H 工艺的现有器件相比,这些新器件拥有更低的“RDS(ON) × Qoss”(导通电阻×输出电荷)和“RDS(ON)× QSW”(导通电阻×栅极开关电荷),它们是面向开关应用的 MOSFET 的关键品质因数[2]

为了顺应市场趋势,东芝电子元件及存储装置株式会社将继续扩大其 MOSFET 产品阵容,以帮助提高电源效率。


应用场合

· 工业设备电源
· 电机控制设备


特点

· 业界最低导通电阻[1]
  RDS(ON)=3.7mΩ(最大值)@ VGS=10V(TPH3R70APL)
  RDS(ON)=11.5mΩ(最大值)@ VGS=10V(TPN1200APL)
· 低输出电荷和低栅极开关电荷
· 支持 4.5V 逻辑电平驱动


主要规格

(除非另作说明,Ta=25℃)
 
注:
[1]截至2017年12月18日,针对具备等效额定值的 MOSFET。东芝电子元件及存储装置株式会社调查。

[2] TPH3R70APL 的 RDS(ON) × Qoss 值比 U-MOS VIII-H 系列 TPH4R10ANL 低10%。
     TPH3R70APL 的 RDS(ON) × QSW 值比 U-MOS VIII-H 系列 TPH4R10ANL 低 10%。

有关 MOSFET 产品阵容的更多信息,请访问如下链接:
https://toshiba.semicon-storage.com/cn/product/mosfet.html

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