GF FD-SOI 制程将兵分两路进击 成都厂着重物联网 5G

时间:2017-12-20 11:29来源:电子技术应用网

摘要:每台汽车内部高达数百颗IC芯片,成为德国半导体产业的绝佳施力点。

每台汽车内部高达数百颗 IC 芯片,成为德国半导体产业的绝佳施力点,全球第二大晶圆代工厂 GlobalFoundries (GF) 位于德国德勒斯登 (Dresden) 12吋厂,扮演28纳米 polySion/HKMG 和22纳米 FD-SOI 技术的发展重镇,未来将锁定车用电子全力布局,目前已经与汽车电子零组件供应商博世(Bosch)策略合作。 
 
GF 德勒斯登厂前身是超微 (AMD) 晶圆厂(1996~2009年),目前已发展到5座晶圆厂,是欧洲最大的12吋晶圆厂。翻开近几年 GF 制程技术蓝图,从28纳米 polySion/HKMG 制程开始,分别针对不同应用市场,朝22及12纳米 FD-SOI 制程、14LPP/12LP/7LP FinFET 制程布局。 
 
GF 德勒斯登厂22纳米 FD-SOI 技术已小量生产,预计2018年下半22和28纳米的良率将黄金交叉,驱动22纳米 FD-SOI 技术快速导入应用端。 
 
近年来半导体在产品应用及技术走向出现重大转变,智能手机接棒 PC 时代后,目前成长性也开始展露疲态,促使半导体大厂积极寻找其他应用商机,包括车用电子、物联网 (IoT)、5G 等。
 
GF 副总裁 Thomas Morgenstern 分析,摩尔定律一路从90、65、40纳米发展至今,28纳米世代是个关键分水岭,因为再往下微缩带来的成本效益明显递减,往下朝20、16/14纳米在技术上是可行的,但电晶体成本下降速度却大幅减缓,因此,FD-SOI 技术会是另一个延续摩尔定律的道路。 
 
GF 技术蓝图朝两大方向布局,FinFET制程专注在高速运算技术,应用包括传感器、绘图卡、高端手机处理器 (AP)、网通、车用高端 ADAS 等;FD-SOI 技术则专攻无线通讯,包括中低阶 AP、物联网、车用电子、手机照相机等,特色是低功耗、性价比高、RF 效能,以及嵌入式存储器技术。 
 
Morgenstern 过去曾在英飞凌和奇梦达 (Qimonda) 德勒斯登厂工作,也曾在博世负责半导体和传感器厂,相当熟识汽车零组件制造领域,2017年重新加入 GF 德勒斯登厂的行列,预期未来该厂在车用电子半导体芯片的生产策略和客户合作关系,将进入新的里程碑。 
 
GF 认为,22纳米 FD-SOI 制程效能相当于14纳米,但成本与28纳米相当,是28纳米制程应用的延续,而12纳米制程效能则相当于10纳米,成本与16纳米制程相当。 
 
目前 GF 的 FD-SOI 制程重镇是德勒斯登厂,2018年开始转移到大陆成都12吋厂,未来两边都会生产 FD-SOI 制程,也是基于客户需求希望分散生产地点,德勒斯登厂的定位偏向汽车电子芯片,支持欧洲客户需求,成都厂则是着重于大陆物联网、5G 等相关技术。
 
GF 成都厂是与大陆成都市政府合资成立,第一阶段导入新加坡厂的0.18/0.13微米制程,2019年下半开始转移22纳米 FD-SOI 制程技术,规划年产能100万片,同时投资1亿美元成立 FDX FD-SOI 设计服务中心,建立 EDA/IP 生态系统供应链,预计招揽500名工程人员。
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