Vishay 新款 25V N 沟道功率 MOSFET 有效提升电源效率和功率密度_资讯频道

Vishay 新款 25V N 沟道功率 MOSFET 有效提升电源效率和功率密度

时间：2017-11-27 15:04来源：21dianyuan

摘要：VishayIntertechnology,Inc宣布推出新的25VN沟道TrenchFET®GenIV功率MOSFET---SiRA20DP，这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低，仅有058mΩ。

器件在 10V 下的最大导通电阻为 0.58mΩ，栅极电荷为 61nC，采用小尺寸 PowerPAK® SO-8 单片封装

宾夕法尼亚、MALVERN — 2017年11月27日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的 25V N 沟道 TrenchFET® Gen IV 功率 MOSFET---SiRA20DP，这颗器件在 10V 的最大导通电阻为业内最低，仅有 0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP 具有最低的栅极电荷，导通电阻还不到 0.6mΩ，使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数 (FOM) 也达到最低，可使各种应用提高效率和功率密度。

今天发布的 MOSFET 采用 6mm x 5mm PowerPAK®SO-8 封装，是目前最大导通电阻小于0.6mΩ的两颗 25V MOSFET 之一。与同类器件相比，SiRA20DP 的典型栅极电荷更低，只有61nC，FOM 为 0.035Ω*nC，低32%。其他 25V N 沟道 MOSFET 的导通电阻则要高11%甚至更多。

SiRA20DP 的低导通电阻可减小传导功率损耗，提高系统效率，实现更高的功率密度，特别适合冗余电源架构中的 OR-ring 功能。器件的 FOM 较低，可提高开关性能，如通信和服务器电源中 DC/DC 转换，电池系统中的电池切换，以及 5V 到 12V 输入电源的负载切换。

这颗 MOSFET 经过了100%的 RG 和 UIS 测试，符合 RoHS，无卤素。

SiRA20DP 现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十五周。

免责声明：本文若是转载新闻稿，转载此文目的是在于传递更多的信息，版权归原作者所有。文章所用文字、图片、视频等素材如涉及作品版权问题，请联系本网编辑予以删除。

上一篇：蓝牙 mesh：为智能照明平台铺路