MOS 管功率损耗竟然还可以这么测

时间:2017-11-16 10:39来源:ZLG 致远电子

摘要:MOSFETIGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节,但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上,PFCMOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索,那么该如何量化评估呢?

MOSFET/IGBT 的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节,但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上,PFC MOSFET 的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索,那么该如何量化评估呢?
 
1.1 功率损耗的原理图和实测图
一般来说,开关管工作的功率损耗原理图如图 1所示,主要的能量损耗体现在“导通过程”和“关闭过程”,小部分能量体现在“导通状态”,而关闭状态的损耗很小几乎为0,可以忽略不计。
 
图 1开关管工作的功率损耗原理图
 
实际的测量波形图一般如图 2所示。
 
图 2开关管实际功率损耗测试
 
1.2 MOSFET 和 PFC MOSFET 的测试区别
对于普通 MOS 管来说,不同周期的电压和电流波形几乎完全相同,因此整体功率损耗只需要任意测量一个周期即可。但对于 PFC MOS 管来说,不同周期的电压和电流波形都不相同,因此功率损耗的准确评估依赖较长时间(一般大于 10ms),较高采样率(推荐 1G 采样率)的波形捕获,此时需要的存储深度推荐在 10M 以上,并且要求所有原始数据(不能抽样)都要参与功率损耗计算,实测截图如图 3所示。
 
图 3 PFC MOSFET 功率损耗实测截图
 
1.3 MOSFET 和 PFC MOSFET 的实测演示视频
普通 MOSFET 的功率损耗实测如下。
https://v.qq.com/x/page/t050291xynv.html
 
PFC MOSFET 的功率损耗实测如下。
https://v.qq.com/x/page/y050284vm7y.html 
 
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