0.7纳秒相变存储器速度新极限_资讯频道

0.7纳秒相变存储器速度新极限

时间：2017-11-14 11:38来源：电子技术应用网

摘要：随着数字全球化，爆炸式增长的信息对数据的存储与传输提出了极大的挑战，而且目前商用计算体系架构内各存储部件，即缓存（SRAM）、内存（DRAM）和闪存（NANDFlash）之间性能差距日益加大，其间的数据交换效率也已成为了电子设备发展的瓶颈。

随着数字全球化，爆炸式增长的信息对数据的存储与传输提出了极大的挑战，而且目前商用计算体系架构内各存储部件，即缓存（SRAM）、内存（DRAM）和闪存（NAND Flash）之间性能差距日益加大，其间的数据交换效率也已成为了电子设备发展的瓶颈。因此研发具备存储密度大、读写速度快、能耗低、非易失（即断电后数据不丢失）等特点的新式通用式存储介质势在必行。

近日，美国 Science 杂志发表了西安交通大学与上海微系统与信息技术研究所的合作论文——《Reducing the stochasticity of crystal nucleation to enable sub-nanosecond memory writing》，该工作从接收到在线发表仅10天。更让人惊讶的是，共同第一作者还是个大四本科生。

基于相变材料的相变存储器（PCRAM）是最接近商业化的通用式存储器，由国际半导体巨头 Intel 与 Mircon 联合推出的首款商用相变存储器“傲腾”已于今年投入市场。我国目前所有相变存储器的读写速度仍然无法媲美高速型存储器，如内存（纳秒）和缓存（亚纳秒）。除去工业化工艺水平问题，最为核心的难题是传统相变材料锗锑碲形核随机性较大，其结晶化过程通常需要几十至几百纳秒，而结晶化速度直接对应着写入速度。

新式钪锑碲 (SST) 相变存储器件0.7纳秒的高速写入操作以及其微观结晶化机理为解决写入速度瓶颈问题，西安交通大学材料学院金属材料强度国家重点实验室与中国科学院上海微系统与信息技术研究所通力合作，利用材料计算与设计的手段筛选出新型相变材料钪锑碲合金。

该材料利用结构适配且更加稳定的钪碲化学键来加速晶核的孕育过程，显著降低形核过程的随机性，大幅加快结晶化即写入操作速度。与业内性能最好的相变器件相比，钪锑碲器件的操作速度提升超过10多倍，达到了0.7纳秒的高速可逆操作，并且降低操作功耗近10倍。通过材料模拟计算，研究人员清晰地揭示了超快结晶化以及超低功耗的微观机理。这一研究成果对深入理解和调控非晶态材料的形核与生长机制具有重要的指导意义，并为实现我国自主的通用存储器技术奠定了基础。

该项工作的材料计算与设计部分由西安交大完成：材料学院大四本科生周宇星为该工作的共同第一作者，青年千人学者张伟教授为共同通讯作者，负责论文投稿。

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