台积电将投200亿美元开发 3nm 工艺 这下 Intel 被甩的有点远

时间:2017-10-17 10:45来源:电子技术应用网

摘要:PChome整机频道资讯报道近日,台积电通过公告称他们现已将3nm工艺芯片的研发选址定在台湾南科台南园区。

PChome 整机频道资讯报道近日,台积电通过公告称他们现已将 3nm 工艺芯片的研发选址定在台湾南科台南园区,不过台积电官方并没有公布该投资计划的详情,台湾经济部门预计,台积电这次投资 3nm 工艺的规模至少为5千亿新台币,同时业界还有分析认为,3nm 芯片的节点将大量采用 EUV 光刻技术,新技术+新研发场地,台积电这次的总投资额或将高达200亿美元,这也将成为台湾科技史上投资规模最大的计划。
 
 
而 3nm 工艺会在何时问世呢?台积电预计其量产时间是在2022年之后。根据之前的消息,台积电目前的进度是计划在2018年量产 7nm 工艺芯片,增强版 7nm 工艺则是2019年问世,5nm 工艺预计在2020年量产,所以 3nm 工艺需要等到 5nm 工艺量产之后才能看到。
 
此前,Intel 也曾提到了正在研发的 5nm、3nm 工艺,但是向来以“牙膏厂”著称的 Intel,在之后的产品中应该会先带来最成熟的 10nm 工艺,未来也会先采用更为保守的 7nm 工艺。至于 3nm 工艺,目前来看一切都是未知数,台积电如果能早于 Intel 实现 3nm 芯片的量产,也许 Intel 在芯片工艺领域会被甩开一大截。
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