Vishay 推出业内首先采用MicroSMP封装的TMBS®整流器系列

时间:2017-07-20 13:04来源:

摘要:1A和2A器件的高度为065mm,正向压降低至036V。显著节省空间并提高功率密度和效率


宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 7 月20 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,新增10颗采用eSMP®系列MicroSMP(DO-219AD)封装的1A和2A器件,扩充其表面贴装的TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。Vishay General Semiconductor的新整流器节省空间,可替换SOD123W封装的肖特基整流器,反向电压从45V到150V,其中业内首颗采用MicroSMP封装的2A TMBS整流器的正向压降低至0.40V。
 
目前,2A电流的肖特基整流器一般采用SOD123W和SMA封装。今天发布的这批器件在较小的MicroSMP封装内也可以输出高正向电流,从而提高了功率密度。整流器的尺寸为2.5mm x 1.3mm,高度0.65mm,比SOD123W薄35%,同时占板空间少45%。为实现良好的散热性能,MicroSMP封装采用了不对称的引线框架设计。
 
1A整流器的正向压降为0.36V,2A器件的正向压降为0.40V,够减少功率损耗,提高效率。针对低压高频逆变器,DC/DC转换器,续流以及极性保护等工业和商业应用。这些器件还有通过AEC-Q101认证的版本,可用于汽车应用。
 
新整流器的最高工作结温达+175℃,潮湿敏感度等级达到per J-STD-020的1级,LF最高峰值为+260℃。器件非常适合自动贴装,符合RoHS,无卤素。
 
器件规格表:

产品编号 IF(AV) (A) VRRM (V) IFSM (A) VF at IF and TJ 最高TJ  (°C)
VF (V) IF (A) TA (°C)
V1P6 1 60 25 0.45 1 +125 +150
V2P6 2 60 30 0.51 2 +125 +150
V1PL45 1 45 25 0.36 1 +125 +150
V2PL45 2 45 30 0.40 2 +125 +150
V1PM10 1 100 25 0.58 1 +125 +175
V2PM10 2 100 30 0.62 2 +125 +175
V1PM12 1 120 25 0.61 1 +125 +175
V2PM12 2 120 30 0.65 2 +125 +175
V1PM15 1 150 25 0.64 1 +125 +175
V2PM15 2 150 30 0.68 2 +125 +175
 
新的TMBS整流器现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周。
 
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com
TMBS®是Vishay Intertechnology的注册商标。

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