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2008年新能源行业市场现状及发展预测报告（二）—《电源资讯》杂志

时间：2009-03-12 17:44来源：世纪电源网

摘要：2008年新能源行业市场现状及发展预测报告—《电源资讯》杂志当然，以目前的技术水平来说，在非晶硅薄膜太阳能电池应用方面，还存在一些问题：①效率低。单晶硅太阳能电池，单体效率为14%-17%(AMO)，而柔性基体非晶硅太阳电池组件(约1000平方厘米...

 

2008年新能源行业市场现状及发展预测报告—《电源资讯》杂志
 
当然，以目前的技术水平来说，在非晶硅薄膜太阳能电池应用方面，还存在一些问题：
①效率低。单晶硅太阳能电池，单体效率为14%-17%(AMO)，而柔性基体非晶硅太阳电池组件(约1000平方厘米)的效率为10-12%，还存在一定差距。
②稳定性差。其不稳定性集中体现在其能量转换效率随辐照时间的延长而变化，直到数百或数千小时后才稳定。这个问题一定程度上影响了这种低成本太阳能电池的应用。
③相同的输出电量所需太阳能电池面积增加。与晶体硅电池相比，每瓦的电池面积会增加约一倍，在安装空间和光照面积有限的情况下限制了它的应用。
　　目前，厂商纷纷投产，薄膜技术应用渐趋升温。薄膜技术的进步给厂商带来了新的发展思路，也正是看到2007年FirstSolar在薄膜太阳能电池领域的出色表现，各厂商纷纷投产进军薄膜领域。2005年4月夏普开始正式受理薄膜太阳能电池定单。2007年11月底建设新生产线，并于2008年10月夏普举行了供货仪式，将薄膜硅太阳能电池的年生产能力从15MW提高到160MW。国内厂商如津能、南通、孚日股份、金太阳等厂商已经制定投产或扩产计划。
五、薄膜太阳能光伏产业发展趋势
CdTe(碲化镉)薄膜、CIS(铜铟硒)/CIGS(铜铟硒镓)薄膜和硅基薄膜广泛用于光伏发电，将占据市场主流，成为薄膜太阳能电池中的佼佼者。其发展趋势分别如下：
CdTe太阳能电池具有技术成熟、转换效率高、发电量高、成本低等优势，在2007年其全球出货量约180MW(仅次于硅基薄膜，在薄膜领域排名第二)，目前CdTe电池商业化产品效率已超过12﹪。
截至2008年1月，美国部分企业实验室CdTe组件的转换率高达16.5%，具体到商业化生产中，短时间内很难达到这个水平。
CIGS在高光电效率低材料成本的好处下(在实验室完成的CIGS光电池，光电效率最高可达约19﹪，就模块而言，最高亦可达约13﹪)。面临三个主要困难要克服：(1)制程复杂，投资成本高；(2)关键原料的供应；(3)缓冲层CdS潜在毒害。
截至2008年2月，全球CIS/CIGS电池的实验室最高转换率达19.5%，具体到商业化生产中，短时间内很难达到这个水平。
截至2008年2月，全球硅基薄膜组件主要有三种：单结非晶硅和双结非晶硅组件转换率5%-8%，双结非晶硅/微晶硅组件转换率8%-10%，三结非晶硅组件转换率8%左右。不过由于硅基薄膜的基数比较大，就算到2013年依然是薄膜中的霸主。而目前新上的项目主要是单结非晶硅、双结非晶硅和非晶/微晶硅。其中亚太地区(中国台湾地区等)主要是单结、双结非晶硅日本地区主要是非晶/微晶硅。欧洲主要是双结非晶硅和非晶/微晶硅。美国三结非晶硅占据不错的地位，同时其他非晶薄膜也有涉及。从成本的角度来看，非晶/微晶的成本在硅基薄膜中最高，其次就是三结非晶硅，双结非晶硅，成本最低的就是单结非晶硅，非晶硅薄膜设备投资占据主要成本，而转换率数据除了跟设备有关系外，自己的调试和开发能力也有一定的重要性。
上述列举CdTe(碲化镉)薄膜、CIS(铜铟硒)/CIGS(铜铟硒镓)薄膜和硅基薄膜各产能、产量及市场份额现状和趋势如下表：

全球产能：兆瓦
2007年
2008年
2009年
2010年
2011年
2012年
2013年
CdTe
330
508
1153
1865
2705
3555
3625
CIS/CIGS
126.5
269
464
591.5
721.5
880
1070
硅基薄膜
434
1468
2090.5
2680.5
3119
3746
4158
全球
890.5
2245
3707.5
5137
6545.5
8181
8853
CdTe市场份额
37.06%
22.63%
31.10%
36.31%
41.33%
43.45%
40.95%
CIS/CIGS市场份额
14.21%
11.98%
12.52%
11.51%
11.02%
10.76%
12.09%
硅基薄膜市场份额
48.74%
65.39%
56.39%
52.18%
47.65%
45.79%
46.97%
全球市场份额
100.00%
100.00%
100.00%
100.00%
100.00%
100.00%
100.00%

 

全球产量：兆瓦
2007年
2008年
2009年
2010年
2011年
2012年
2013年
CdTe
180
350
721
1224
1960
2737
3136
CIS/CIGS
25.4
84.5
185.5
341.5
484
627.5
773
硅基薄膜
217.2
585
1104
1605
2144
2649
3151
全球
422.6
1019.5
2010.5
3170.5
4588
6013.5
7060
CdTe市场份额(%)
42.59
34.33
35.86
38.61
42.72
45.51
44.42
CIS/CIGS市场份额(%)
6.01
8.29
9.23
10.77
10.55
10.43
10.95
硅基薄膜市场份额(%)
51.40
57.38
54.91
50.62
46.73
44.05
44.63
全球市场份额(%)
100.00
100.00
100.00
100.00
100.00
100.00
100.00

 
目前，国内外厂商的纷纷投产促进了薄膜电池市场的快速增长，未来两年伴随各厂商投产产能的释放，薄膜电池市场将稳步提升，2010年其市场份额有望达到15%。
薄膜技术的兴起带动了国内新一轮太阳能光伏产业投资热潮，未来3-5年随着薄膜技术的日趋成熟，碲化镉(CdTe)和CIGS等技术将会有新的突破，卷式(roll-to-roll)设备和可印刷铜/铟/镓/硒(CIGS)墨水等设备应用的技术创新也会取得新进展。这将有望进一步带动中国太阳能光伏产业新一轮增长。
特别是2008年由于美国应用材料，瑞士Oerlikon，日本ULVAC等顶级的设备厂商大量推出标准设备，同时韩国Jusung，美国XsunX等设备企业的介入促使全球范围大规模生产非晶硅成为可能，另外一些小尺寸的非晶硅设备企业(比如中国国内的普乐新能源，上海思博露科技，北京的北仪创新，美国的EPV NanoPV，香港的华基光电，匈牙利的EnergoSolar，欧洲的STF等相继推出低成本的5兆瓦生产线也获得了客户的青睐，设备的驱动及大量资本的进入促使2007年和2008年称为非晶硅大规模应用的元年，也因此导致晶硅和非晶硅的格局将会因此而改变。
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