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三星DRAM遇到天花板

时间：2017-04-19 17:19来源：电子技术应用

摘要：据韩国媒体报道，三星电子为了巩固存储器霸业，制定了宏伟的DRAM发展蓝图，不过业界预估，15纳米工艺可能是DRAM制程微缩的极限，与此同时三星还将感受到来自中国业者的压力。

       据韩国媒体报道，三星电子为了巩固存储器霸业，制定了宏伟的DRAM发展蓝图，不过业界预估，15纳米工艺可能是DRAM制程微缩的极限，与此同时三星还将感受到来自中国业者的压力。

　　三星DRAM遇到天花板？15nm工艺或是那道坎　

　　三星去年开始量产18纳米DRAM，目前正研发17纳米DRAM，预定今年底完成开发、明年量产。与此同时，三星也成立16纳米DRAM开发小组，目标最快2020年量产。相关人士透露，微缩难度高，2020年量产时间可能延后。

　　三星从20纳米制程，转进10纳米制程，缩小线宽（Line－width）的速度明显放缓。对此，三星设备解决方案部门的半导体实验室人员Jung Eun－seung说，为了继续缩小线宽，必须开发与当前不同的新材质，并提高制程稳定性，以便进入量产。因为由15nm开始，电流外泄和电容器干扰和情况将更为明显，需要开发新的材质。

　　业界人士估计，15纳米或许是制程微缩的极限，未来三星可能难以透过制程微缩拉大与对手差距，并担忧中国业者急起直追，赶上三星。

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