EUV光刻工艺可用到2030年的1.5nm节点

时间:2017-01-22 13:59来源:电子技术应用网

摘要:半导体制造工艺进入10nm之后,难度越来越大,Intel为此多次调整了产品策略,10nm工艺的产品推迟到今年底,以致于很多人认为摩尔定律将死。推动科技进步的半导体技术真的会停滞不前吗?这也不太可能,7nm工艺节点将开始应用EUV光刻工艺,研发EUV光刻机的ASML表示EUV工艺将会支持未来15年,部分客户已经在讨论2030年的15nm工艺路线图了。

半导体制造工艺进入10nm之后,难度越来越大,Intel为此多次调整了产品策略,10nm工艺的产品推迟到今年底,以致于很多人认为摩尔定律将死。推动科技进步的半导体技术真的会停滞不前吗?这也不太可能,7nm工艺节点将开始应用EUV光刻工艺,研发EUV光刻机的ASML表示EUV工艺将会支持未来15年,部分客户已经在讨论2030年的1.5nm工艺路线图了。
 
此前的报道中我们也解释了半导体芯片制造过程中,光刻是非常关键的一步,决定了芯片的技术水平。目前使用的是沉浸式光刻工艺,未来则是EUV(即紫外光刻)工艺。不过EUV工艺研发实在太难了,早在2006年业界就开始联合研发EUV工艺,直到10年后的今天,EUV光刻机才开始小批量生产,荷兰ASML公司日前在财报中提到去年底他们售出6台EUV光刻机,总数达到了18台,总价值超过20亿欧元。
 
今年半导体公司将升级到10nm节点,不过还是用不上EUV工艺,ASML表示在2018年底到2019年初的7nm工艺节点上,EUV工艺才会正式启用,那时候传统的沉浸式光刻工艺也会遭遇极限。
 
现在半导体公司提到的新一代制程工艺除了7nm之外,还有5nm、3nm,那么更远的未来呢?ASML公司CEO Peter Wennink在接受采访时表示EUV工艺不仅能降低7nm、5nm的成本,他们还看的更远,可支撑未来15年,也就是考虑2030年前后的工艺了,ASML表示已经有客户在讨论未来的1.5nm工艺路线图了。
 
如ASML所说,EUV工艺未来也会升级,现在的EUV工艺数值孔径还是0.33,可用两三代工艺,不过去年他们宣布20亿美元入股卡尔蔡司子公司SMT,双方将合作开发0.5孔径的EUV工艺,还可以再支撑两三代工艺,不过这样的EUV光刻机要等到2024年才能问世。
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