紫光南京半导体产业基地项目签约
时间:2017-01-20 10:14来源:电子技术应用网
摘要:1月18日下午,新春佳节来临之际,从南京传来喜讯,紫光南京半导体产业基地项目签约。据披露,此次投资达到2600亿元,目前双方已经敲定了产线动工日期。联系到此前在武汉,由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资240亿美元建设的国家存储器基地项目,国内半导体产线正在形成集团化的优势。
1月18日下午,新春佳节来临之际,从南京传来喜讯,紫光南京半导体产业基地项目签约。据披露,此次投资达到2600亿元,目前双方已经敲定了产线动工日期。联系到此前在武汉,由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资240亿美元建设的国家存储器基地项目,国内半导体产线正在形成集团化的优势。
与武汉由长江存储牵头的国家存储器基地项目明确以3D NAND制造为核心的项目相比,此次紫光南京半导体产业基地项目建设并没有披露产品的目标和策略,但据专业人士分析,该项目极有能以DRAM产品为主。根据长江存储CEO杨士宁披露:在全球的半导体存储产品中,NAND 和 DRAM的产值占全球存储总额的95%。
有数据统计显示:中国存储器的消耗量占全球总消耗量的50%以上,但是当中能由国产厂商供应的存储产品则是屈指可数,基本为美光、三星、东芝等少数几个厂商垄断,这个对发展自主可控的中国信息技术产业是一个很大的挑战。
存储产业供应的高度集中,尤其是三星在DRAM、NAND上的全球垄断,让很多终端厂商有了顾虑,不少的同行竞争者也是有了其他想法,这就促使具有庞大存储消耗量的中国去发展存储产业。加上3D NAND发展所带来的前所未有的机会,国内存储产业有机会和国外一较高下。根据披露,长江存储的32层 3D NAND产品目前进展顺利,生产的产品指标都非常良好,并将会在2019年实现满载产能。
也许是受到长江存储进展顺利的激励,紫光投资南京半导体产业基地也是情理之中的事情,就半导体制造核心技术而言,NAND和DRAM还是有很多相同的地方,借助3D NAND制造的技术积累,完全可以像最先进制程工艺技术发展。Dostor特约技术专家李炫辉先生表示:国内在3D NAND和DRAM技术上还存在技术上欠缺,并不清楚紫光方面能否很好解决技术的问题,所以风险和机遇并存。
可以看到的是,紫光集团加大了技术人才的引进了力度。继有“台湾RAM教父”的南亚科总经理高启全加盟紫光之后,中华电信前任董事长、台积电前任首席执行官蔡力行和台联电前任首席执行官孙世伟也接受紫光集团的邀请,加盟紫光集团为国内存储产业发展效力。其中,高启全担任长江存储COO;蔡力行负责紫光集团的半导体代工业务,并成都建设一座处理12英寸晶圆的芯片制造厂;而孙世伟负责全球业务的执行副总裁。技术人才的引进,无疑会让紫光如虎添翼。改革开放初期所期望的“瞎子背瘸子”方式正在成为现实。
此前,紫光集团和南京市委、市政府有着密切的合作。紫光与西部数据的合资公司,总部就设在南京。紫光集团的策略是从“芯”到“云”,将企业战略和国家战略紧密结合,大力推动中国大数据存储产业的发展。因此,从长江存储、到南京半导体产业基地,到紫光西部数据合资公司,我们欣喜地看到这一战略的贯彻和落地,其规模和气魄让人为之叹服,为之惊喜!中国存储力量正在不断积蓄力量!
让我们共同期待,中国存储力量的崛起!
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