Ramtron在V系列品线中增添串行512-Kb F-RAM

时间:2008-11-24 11:22来源:世纪电源网

摘要:Ramtron全新高速F-RAM系列推出第二款串行器件全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推出全新F-RAM系列产品中的第二款串行器件FM25V05,提供高速读...

Ramtron全新高速 F-RAM系列推出第二款串行器件

 

全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出F-RAM系列产品中的第二款串行器件FM25V05,提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性。FM25V05512Kb2.0V3.6V具有串行外设接口 (SPI) 的非易失性RAM,采用8SOIC封装,特点包括快速访问、无延迟 (NoDelay™) 写入、1E14/写次数和低功耗。FM25V05是工业控制、仪表、医疗、汽车、军事、游戏计算机及其它应用领域串行闪存和串行EEPROM存储器的理想替代产品。除512KbFM25V05之外Ramtron较早前也已宣布推出1 MbFM25V10产品。

 

Ramtron拓展Duncan Bennett道:FM25V05为客户提供另一种密度选择,加上Ramtron V系列F-RAM产品较低工作电压和集成功能的特性。Ramtron计划V系列中推出其它器件,为客户系统提供广泛的接口和密度选择。

 

关于FM25V05

与串行闪存或串行EEPROM不同,FM25V05以总线速度执行写操作,无写入延迟,且数据能够立即写入存储器阵列,以最高每秒40Mb的速度连续写入数据。串行闪存和串行EEPROM比较FM25V05的耐用性高出个数量级以上,且功率消耗更低。

 

FM25V05具有高性能F-RAM功能,适用于要求频繁或快速数据写入或低功耗操作的非易失性存储器应用,范围从需要写入次数极高的高频数据采集应用,到严苛的工业控制应用。在这些应用中,由于串行闪存或EEPROM器件的写入时间长而出现潜在的数据丢失风险,因此并不适用。

 

FM25V05具有一个只读器件ID,可以通过独一无二的序列号和/或系统重置选项来命令它。器件ID提供有关制造商、产品密度和产品版本的信息。独特的序列号使主机拥有一个ID,以区别于世界上任何其它主机。系统重置选项可省去对外部系统重置部件的需要

 

FM25V05可在-40°C+85°C的工业温度范围工作,以40MHz SPI时钟速率运行时耗电仅为3mA,待机模式耗电为90µA,睡眠模式耗电更低至5µAFM25V05的有功功率为每MHz 38µA,其电流较同类串行闪存或EEPROM产品低一个数量级。

 

关于F-RAM V系列

RamtronV系列F-RAM产品采用Ramtron和德州仪器共同开发的公认的130nm CMOS生产工艺制造,包各种并行、串行I2CSPI存储器。先进的制造工艺能够提高产品的技术规格及扩展其功能集。Ramtron计划在2008年年底前推出其它V系列产品具有I2C和并行接口。所有串行F-RAM V系列产品均具有可选器件特性,包括独特的序列号和系统重置。

 

供货

Ramtron现提供符合RoHS标准的8SOIC封装FM25V05查询价格详情,请与Ramtron联系。

 

关于Ramtron International

       Ramtron International 总部设在美国科罗拉多州Colorado Springs市,是专门设计、开发和销售专用的半导体存储器和集成半导体解决方案的无晶圆厂半导体公司,产品广泛用于各种应用和全球市场。要了解更多信息,请访问公司网站www.ramtron.com

http://www.21dianyuan.com/supply/supplyhome/company.php?company_id=1544

免责声明:本文若是转载新闻稿,转载此文目的是在于传递更多的信息,版权归原作者所有。文章所用文字、图片、视频等素材如涉及作品版权问题,请联系本网编辑予以删除。
我要投稿
近期活动
帖子推荐更多

Copyright 2008-2024 21dianyuan.com All Rights Reserved 备案许可证号为:津ICP备10002348号-2