Intersil推出高集成度功率模块,采用小尺寸QFN封装

时间:2008-11-24 08:31来源:世纪电源网

摘要:全球高性能模拟半导体设计和制造领导厂商Intersil公司日前宣布,推出节省空间、降低成本、简化设计的高集成度功率转换模块ISL8201M。ISL8201M是高效率、低噪声、高集成度的DC/DC电源解决方案,在热增强的QFN封装内集成了PWM控制器、MOSFET驱动器、功率MOSFET、电感器,...

全球高性能模拟半导体设计和制造领导厂商Intersil公司日前宣布,推出节省空间、降低成本、简化设计的高集成度功率转换模块ISL8201M。

ISL8201M是高效率、低噪声、高集成度的DC/DC电源解决方案,在热增强的QFN封装内集成了PWM控制器、MOSFET驱动器、功率MOSFET、电感器,以及优化的补偿电路。

ISL8201M使电源的设计过程大为简化,只需输入和输出电容器,以及一个电阻器,即可实现一个完整的电源方案。在电信、数据通信、电子数据处理、无线网络系统、医疗仪器,以及基于负载点应用的分布式总线架构等应用中,ISL8201M小巧的尺寸可大大节省电路板面积,同时高集成度又降低了采购和仓储成本。另外,板上的输入滤波器支持超低噪声的操作,从而减少EMI。

ISL8201M的QFN封装能够将热量通过PCB板顺畅地传递出去,从而实现了高达93%的转换效率和优异的热性能。在封装底部的大面积覆铜使ISL8201M的功率密度达到了近200W/in3,几乎是目前开放式模块的4倍,因此也不需要使用散热片。其他特性包括:内部软启动、自动恢复的过电流保护、可选的ENABLE引脚,以及预偏置的输出启动能力。

定价及供货情况

高集成度、高性能的ISL8201M采用小尺寸15mm x 15mm x 3.5mm QFN封装。ISL8201M将很快提供采用15引线QFN封装的样片。


 

http://www.21dianyuan.com/supply/supplyhome/company.php?company_id=1544

免责声明:本文若是转载新闻稿,转载此文目的是在于传递更多的信息,版权归原作者所有。文章所用文字、图片、视频等素材如涉及作品版权问题,请联系本网编辑予以删除。
我要投稿
近期活动
帖子推荐更多

Copyright 2008-2024 21dianyuan.com All Rights Reserved 备案许可证号为:津ICP备10002348号-2