IDT 推出全球首款针对高性能应用的压电 MEMS 振荡器_资讯频道

IDT 推出全球首款针对高性能应用的压电 MEMS 振荡器

时间：2012-05-10 14:14来源：世纪电源网

摘要：IDT的4M系列LVDS/LVPECL振荡器抖动低于1皮秒，成为传统六管脚晶体振荡器的理想替代拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商IDT®公司(IntegratedDeviceTechnology,Inc.;NASDAQ:IDT...

IDT 的 4M 系列 LVDS/LVPECL 振荡器抖动低于 1 皮秒，成为传统六管脚晶体振荡器的理想替代

拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已推出全球首款针对高性能通信、消费、云和工业应用的 CrystalFree™ 压电MEMS（pMEMS™）LVDS / LVPECL 振荡器。IDT 的新型振荡器可在紧凑业界标准封装中以远低于 1 皮秒的相位抖动运行，使其成为传统六管脚晶体振荡器（XO）的理想替代。

IDT 的 4M 系列高性能 LVDS / LVPECL 振荡器利用 IDT 专利的 CrystalFree pMEMS 谐振器技术，让 IDT 能够迅速在出厂时编程所需的输出频率，无需微调昂贵的晶体。此外，由于pMEMS 的本征谐振频率远高于石英晶体，4M 振荡器能够以更低的成本实现更高的频率而无需损耗关键性能。4M 系列是 IDT 广泛 MEMS-based 器件组合的首款产品，将为客户提供便利、精确和低抖动的计时参考。

IDT 公司副总裁兼计时与同步部门总经理 Fred Zust 表示：“作为计时领域的领导者，我们的客户一直期望 IDT 的 pMEMS 技术能够扩展至通信这样的高性能应用，通信是 40 亿美元频率控制市场的重要细分市场。IDT 专利的 pMEMS 谐振器技术将压电材料的强机电耦合与单晶硅的稳定性和低阻尼相结合，允许我们凭借无与伦比的性能和可靠性实现便利且具有成本效益的 XO 替代。这些产品与我们屡获殊荣的固态振荡器相得益彰，可提供完整的频率控制产品组合，从而在不断增加的细分市场中替代石英器件。”

IDT 的 4M 振荡器可在 -40°C 至 85°C 的广泛工业温度范围内以 ±50 ppm 的频率精度运行。器件支持低压差分信号（LVDS）和低电压正发射极耦合逻辑（LVPECL），频率高达 625 MHz，可满足大多数通信、网络和高性能计算应用的严格要求。除了 7.0 x 5.0 mm（7050）尺寸，IDT 的 pMEMS 振荡器还提供 5.0 x 3.2 mm（5032）小型标准塑料封装，可节省成本并在高密度的应用领域将封装尺寸降至最低。经过设计，它们与传统的 XO 管脚兼容，使其成为理想的升级替代解决方案。

供货

IDT 的 4M 振荡器已向合格客户提供样品，并提供基于频率、电压、输出类型和工业标准封装的多种配置。欲了解 IDT CrystalFree pMEMS 振荡器的更多信息，请访问：www.idt.com/go/MEMS。

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关于 IDT 公司

IDT 公司拥有模拟和数字领域的优势技术，并且运用这些模拟和数字优势技术为广大终端用户提供了大量优化的、丰富的、创新性的系统级解决方案。IDT 在计时、串行交换电路和传输接口电路方面位于全球市场的领先地位。在通信、计算和消费芯片市场，IDT 发挥出模拟和系统设计的专长，为客户提供了各种应用广泛、性能优化的混合信号解决方案。IDT 公司总部位于美国加利福尼亚州圣荷塞，在全球各地设有设计中心、生产基地和销售机构。IDT 股票在纳斯达克全球精选股票市场上市，代号为“IDTI”。欲了解更多 IDT 详情，敬请登陆 http://zh.idt.com 或访问 Facebook、LinkedIn、Twitter 和 YouTube。