Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，让反激式电源设计师能以MOSFET替换低效率的肖特基整流器，作为理想驱动二极管。同时，ZXGD3105N8还能使机顶盒取得少于100mW的待机功耗，以及逾87%的满载效率。      
    该控制器具备少于1mA的静态电流，并能以低至4.5V的电源电压运作，远胜于其他竞争对手的解决方案。此外，该控制器还能提供超越“能源之星”待机评级标准的反激式电源。       
    ZXGD3105N8以SO8封装供应，可用于工业及消费性产品中的交流-直流与直流-直流内部及外部的电源供应器。同时，该控制器还能在高达500kHz的开关频率下运作，有助减小变压器的体积，从而实现更纤细的外形设计。       
    该MOSFET控制器作为比例式闸极驱动器运作，可防止不必要的MOSFET关闭，并使MOSFET关闭传播延迟降低至15ns，从而减少反向电流，有助最大幅度地提升电源电路效率。