Vishay新款不对称功率MOSFET简化DC/DC转换器的设计
时间:2011-11-15 08:38来源:世纪电源网
摘要:日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新器件——SiZ300DT和SiZ910DT,以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品的电压和封装占位选项,使Vishay成为3mmx3mm、6mmx...
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新器件——SiZ300DT和SiZ910DT,以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品的电压和封装占位选项,使Vishay成为3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸规格产品的独家供应商。
采用PowerPAIR 3 x 3封装的30V SiZ300DT和采用PowerPAIR 6 x 5封装的SiZ910DT提供了新的占位面积选项,扩充了该系列产品。SiZ300DT定位在需要处理10A和以下电流的DC/DC应用,SiZ910DT适用于20A以上的应用。PowerPAIR 3 x 3的面积大约是PowerPAIR 6 x 5的1/3。
采用PowerPAIR 6 x 3.7封装的三款新器件是业内首批产品,再加上此前推出的SiZ710DT,使这种尺寸规格器件的电压范围从20V扩展到30V。新的SiZ728DT是首款25V PowerPAIR 6 x 3.7器件,SiZ790DT是采用这种尺寸规格并提供一个板上肖特基二极管的首款器件。SiZ730DT是首个具有最低RDS(on)的30V PowerPAIR 6 x 3.7器件。
Vishay Siliconix PowerPAIR 家族中的各款器件将两个MOSFET以最优的方式组合在单片封装内,帮助简化高效同步降压单相和多相DC/DC转换器的设计。通过增大低边MOSFET的尺寸以实现更低的传导损耗,器件的不对称配置有效提高了性能表现。Vishay充分发挥TrenchFET Gen III技术和PowerPAIR的不对称特点,将低边MOSFET的最大导通电阻降至3mΩ,比同档的不对称器件降低了几乎50%。
PowerPAIR器件为设计者提供了两个封装在一起的MOSFET,能够简化PCB布线并减少寄生电感,从而帮助降低开关损耗并提高效率。
新的PowerPAIR器件将在各种电子产品中更有效地使用能源和空间,这些产品包括笔记本电脑和桌面电脑、服务器、游戏机、机顶盒、电视机和调制解调器。
新款PowerPAIR器件现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周到十四周。
采用PowerPAIR 3 x 3封装的30V SiZ300DT和采用PowerPAIR 6 x 5封装的SiZ910DT提供了新的占位面积选项,扩充了该系列产品。SiZ300DT定位在需要处理10A和以下电流的DC/DC应用,SiZ910DT适用于20A以上的应用。PowerPAIR 3 x 3的面积大约是PowerPAIR 6 x 5的1/3。
采用PowerPAIR 6 x 3.7封装的三款新器件是业内首批产品,再加上此前推出的SiZ710DT,使这种尺寸规格器件的电压范围从20V扩展到30V。新的SiZ728DT是首款25V PowerPAIR 6 x 3.7器件,SiZ790DT是采用这种尺寸规格并提供一个板上肖特基二极管的首款器件。SiZ730DT是首个具有最低RDS(on)的30V PowerPAIR 6 x 3.7器件。
Vishay Siliconix PowerPAIR 家族中的各款器件将两个MOSFET以最优的方式组合在单片封装内,帮助简化高效同步降压单相和多相DC/DC转换器的设计。通过增大低边MOSFET的尺寸以实现更低的传导损耗,器件的不对称配置有效提高了性能表现。Vishay充分发挥TrenchFET Gen III技术和PowerPAIR的不对称特点,将低边MOSFET的最大导通电阻降至3mΩ,比同档的不对称器件降低了几乎50%。
PowerPAIR器件为设计者提供了两个封装在一起的MOSFET,能够简化PCB布线并减少寄生电感,从而帮助降低开关损耗并提高效率。
新的PowerPAIR器件将在各种电子产品中更有效地使用能源和空间,这些产品包括笔记本电脑和桌面电脑、服务器、游戏机、机顶盒、电视机和调制解调器。
新款PowerPAIR器件现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周到十四周。
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