EPC9003是一种现成、容易连接开发板及具备详细工程技术资料，便于加快基于200V EPC2010的高频开关电源转换系统设计。

随着宜普EPC9003开发板的推出，用户可以更加容易在许多应用中开始利用宜普200V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管(FET)进行设计，例如太阳能微型逆变器、D类音频放大器、以太网供电和同步整流等应用。

EPC9003开发板是一种最大输入电压为200V、最大输出电流为5A、带板载栅极驱动的半桥电路，核心器件是EPC2010 200V eGaN FET。这款开发板在单块板上包含了所有关键元件，非常容易连接任何现有转换器，因此可以简化评估EPC2010 eGaN FET的过程。

EPC9003开发板的尺寸是2”x1.5”，不仅在带栅极驱动器的半桥结构中包含两个EPC2010 GaN FET，而且还有一个板载栅极驱动电源和旁路电容。另外还提供多个测试点，便于测量简单的波形和计算效率。EPC9003开发板还附有一份快速入门指南( http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9003_qsg.pdf )以供用户参考及便于使用。

EPC9003开发板单价为95美元，就像EPC其它产品一样，客户可以透过DigiKey公司于网上购买，网址为 http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

eGaN设计资料及技术支持

· EPC2010及所有宜普eGaN数据表，可在这网页下载: http://epc-co.com/epc/Products.aspx

· 关于开发板及其它设计支持的资料：http://epc-co.com/epc/ToolsandDesignSupport/DemoBoards.aspx

· 参阅eGaN产品训练素材：http://epc-co.com/epc/ToolsandDesignSupport/ProductTraining/eGaNtradeFETBasics.aspx

· eGan FET应用手册: http://epc-co.com/epc/ToolsandDesignSupport/ProductTraining/ApplicationofeGaNtradeFETs.aspx

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN?) FET，其目标应用包括服务器、上网本、笔记本电脑、LED照明、蜂窝手机、基站、微型逆变器及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。